IMMPATT二級(jí)管Sub_THz發(fā)射器
IMPATT Diode(碰撞雪崩渡越時(shí)間二極管)是一種高功率亞THz波段THz發(fā)射源。IMPATT二極管可以在3-400GHz范圍內(nèi)單頻,室溫運(yùn)行,體積小而功率高。
技術(shù)參數(shù):
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型 號(hào) |
IMPATT Diode 100GHz |
IMPATT Diode 140GHz |
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出廠優(yōu)化優(yōu)化波長(zhǎng) |
100 GHz |
140 GHz |
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功率 |
80 mW |
30 mW |
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線寬 |
1 MHz |
1 MHz |
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TTL調(diào)制輸出頻率 |
1μs 上升/下降時(shí)間 |
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特點(diǎn):
80-110GHz頻率范圍
輸出功率10mW
線寬窄至1MHz
1μs上升和下降時(shí)間的TTL調(diào)制模式可選
體積緊湊,低成本
相關(guān)圖片:


關(guān)于美國TeraSense公司
Terasense Group Inc. 是創(chuàng)新便攜式太赫茲 (THz) 成像系統(tǒng)、太赫茲成像相機(jī)、太赫茲源和太赫茲探測(cè)器的領(lǐng)先制造商。我們的產(chǎn)品平衡在科技突破的前沿,并具有多項(xiàng)競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。Terasense 是一家專注于研究的公司,致力于持續(xù)改進(jìn)的理念。我們采用獨(dú)創(chuàng)的專利保護(hù)技術(shù)制造用于成像傳感器陣列(相機(jī))的新型半導(dǎo)體探測(cè)器,有效覆蓋亞太赫茲和太赫茲范圍的電磁頻譜(50 GHz - 700 GHz)。
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